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半导体学界巨匠——王守武

日期:2021.05.10 18:00作者:佚名 怀念逝者 浏览:1248

在中国半导体学界享有崇高威望的半导体物理学家、微电子学家的王守武,把发展中国半导体科学事业视为已任,兢兢业业为之奋斗了一生

1919年3月15日生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。历任中国科学院半导体研究所研究员、半导体研究室主任、微电子中心名誉主任。中国电子学会常务理事,中国物理学会常务理事,北京物理学会副理事长,中国电子学会半导体与集成技术学会主任委员兼《半导体学报》主编。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。2014年7月30日在美国逝世,享年95岁。

半导体学界巨匠——王守武

曾任中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高,成本大为降低。

1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高,成本大为降低。

Tag关键词:院士 半导体物理

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